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Antaïos planche sur la prochaine génération de mémoire magnétique
La pépite grenobloise Antaïos développe la prochaine génération de mémoires magnétiques MRAM. Dite SOT-MRAM, cette génération de puce devrait améliorer la vitesse, l'endurance et la consommation par rapport à la mémoire magnétique actuelle STT-MRAM.
Les mémoires magnétiques MRAM, c’est le terrain d’innovation d’Antaïos. Fondée en 2017 par essaimage du plus grand laboratoire français en spintronique, le Spintec à Grenoble, cette pépite développe la génération prochaine, dite SOT-MRAM.
Celle-ci améliore considérablement la vitesse, l’endurance et la consommation par rapport à la mémoire magnétique actuelle, la STT-MRAM, commercialisée par Everspin Technologies, GlobalFoundries ou Samsung. De quoi en faire la mémoire universelle capable de remplacer celles qui sont utilisées actuellement dans l’embarqué : la mémoire flash et la DRAM (ou SRAM).
Un démonstrateur pour 2021
Antaïos a levé 11 millions de dollars, avec l’objectif de réaliser un démonstrateur de sa technologie au deuxième trimestre 2021. Au tour de table figure un investisseur de poids, l’américain Applied Materials, l’un des tout premiers équipementiers mondiaux de production de semi-conducteurs. Dans une course mondiale à la MRAM du futur, il apporte une crédibilité à la technologie de la pépite grenobloise et un soutien industriel inespéré dans son développement.
Antaïos compte une quinzaine de collaborateurs et prévoit de renforcer son effectif d’ici à la fin de l’année. Il revendique dix familles de brevets essentiels rachetées au CNRS. Un autre grand industriel américain des puces semble s’intéresser à sa technologie MRAM, mais son nom reste, pour l’heure, confidentiel.
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