GlobalFoundries met le cap sur la production de puces électroniques en 7 nanomètres

Le fondeur américain de semiconducteurs GlobalFoundries décide de faire l’impasse sur la prochaine génération de puces électroniques en 10 nanomètres en développant directement celle d’après en 7 nanomètres. Cette technologie devrait entrer en production au début de 2018.

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GlobalFoundries met le cap sur la production de puces électroniques en 7 nanomètres
Usine de GlobalFoundries à Dresde, en Allemagne

C’est la course à la miniaturisation électronique chez GlobalFoundries. Le fondeur américain de semiconducteurs, qui vient de lancer le développement de la génération de 12 nanomètres de la technologie française de puces FD-SOI, ouvre un projet similaire sur le front de la technologie FinFET. Mais l’objectif est de passer ici non pas à la prochaine génération en 10 nanomètres, mais directement à celle d’après, en 7 nanomètres.

Impasse sur la technologie de 10 nanomètres

Alors que la technologie FD-SOI change de substrat en passant au silicium sur isolant, la technologie FinFET modifie la conception des transistors en adoptant une structure 3D pour contrer les fuites de courants dues à la miniaturisation. Elle s’impose dans les circuits intégrés numériques à hautes performances comme les processeurs au cœur des PC, serveurs ou mobiles. Aujourd’hui, elle est en production de volume pour les circuits les plus avancés avec une gravure de 14 nanomètres chez Intel, Samsung et GlobalFoundries, et de 16 nanomètres chez TSMC.

De nombreux fournisseurs fabless de semiconducteurs comme AMD, Nvidia, IBM ou Xilinx ont choisi de faire l’impasse sur la prochaine génération en 10 nanomètres, et de passer directement à celle d’après en 7 nanomètres. Un choix justifié par le fait que la génération de 10 nanomètres promet peu de gains en densité, consommation et performances par rapport à celles de 14 et 16 nanomètres, pour un surcoût jugé trop élevé.

Gain de performances de 30%

Il est logique que GlobalFoundries, dont AMD et IBM sont les deux plus gros clients, prenne la même voie. Le fondeur dispose dans son usine Fab 8, à Saratoga, dans l’Etat de New York, d'un procédé FinFET de 14 nanomètres licencié auprès de Samsung. Avec le passage à 7 nanomètres, il promet un doublement de la densité et un gain de 30% des performances.

GlobalFoundries et IBM ont démontré, il y a un an, un prototype de puce en 7 nanomètres développé dans le cadre du programme de recherche collaboratif mené au Suny Polytechnic Institue’s Colleges of Nanoscale Science and Engineering, à Albany (Etat de New York), avec d’autres partenaires, dont Samsung et ASML. Le fondeur promet d’investir des milliards de dollars dans le développement et la mise en production de la technologie FinFET de 7 nanomètres. Elle sera disponible pour la conception des circuits par les clients dès le second semestre 2017 et la production devrait démarrer au début de 2018 dans l’usine Fab 8.

Challenger TSMC

En prenant les devants sur la technologie de 7 nanomètres, GlobalFoundries se met en position de challenger le taïwanais TSMC, premier fondeur mondial de semiconducteurs, qui a choisi, lui, de passer par la génération de 10 nanomètres dès la fin de 2016 avant de mettre en production celle de 7 nanomètres au premier trimestre 2018.

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