Intel et IBM s’allient pour la nanoélectronique

Pour préparer le passage aux tranches de silicium de 450 millimètres et à la gravure en 14 nanomètres, IBM et Intel créent une co-entreprise.

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Intel et IBM s’allient pour la nanoélectronique

Les énormes investissements nécessaires dans le domaine des semi-conducteurs poussent les concurrents d’hier à devenir les alliés de demain. IBM et Intel s’apprêtent à créer une co-entreprise dans laquelle ils investiront 4,4 milliards de dollars sur cinq ans, a révélé l’agence Bloomberg.

IBM sortira de sa poche 3,6 milliards de dollars pour la mise au point de puces gravées en 22 puis en 14 nanomètres. Dans le même temps, Intel, aidé par Samsung Electronics et TSMC, mettra au point la prochaine génération d’usines de fabrication de tranches de silicium, avec un diamètre de 450 millimètres (contre 300 millimètres actuellement).

Signe de l’importance politique et sociale de la course à l’innovation, c’est Andrew Cuomo, le gouverneur de New York qui a divulgué l’information. Pour voir s’implanter la co-entreprise à Albany, dans l’État de New York le contribuable aura lui aussi fait un effort d’un montant de 400 millions de dollars. Le prix à payer pour profiter des 6 900 emplois que cette entreprise devrait participer à créer, dont 2 500 dans les nouvelles technologies.

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