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La Chine se prépare à produire ses propres mémoires flash 3D dès 2017

A travers Yangtze River Storage Technology, la Chine s’apprête à ouvrir sa première usine de mémoires Flash et Dram. La production de puces Flash 3D devrait démarrer à la fin de 2017.
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La Chine se prépare à produire ses propres mémoires flash 3D dès 2017
L'usine de XMC à Wuhan, en Chine © XMC

La Chine s’approche de son objectif de maîtriser les puces mémoires.  A travers Yangtze River Storage Technology (YRST), elle se prépare à mettre en service sa première usine de fabrication de ces composants électroniques sur tranches de 300 mm de diamètre, rapporte Digitimes. La production va démarrer à la fin de 2016 avec la fabrication de mémoires vives Dram et mémoires non volatiles Flash de type NAND. Mais le vrai enjeu pour Pékin est de produire des puces Flash 3D. Ce sera fait dans un an, à la fin de 2017, prévoit Digitimes.

 

Investissement de 24 milliards de dollars

YRST a été créé en juillet 2016 par Tsinghua Unigroup et les pouvoirs publics pour servir de fer de lance à l’offensive de la Chine dans les puces mémoires. Tsinghua Unigroup, une société holding contrôlée par Pékin et détenant des sociétés fabless comme RDA Microelectronics et Spreadtrum Communications, a par ailleurs pris 50% du capital de XMC, aujourd’hui seul fabricant chinois de mémoires. Mais ce dernier réalise des puces Flash de type NOR, destinées à renfermer des logiciels embarqués. Et non des puces Flash de type NAND utilisées pour le stockage de données.

Depuis 2008, XMC dispose à Wuhan d’une unité pilote de R&D et production de circuits sur tranches de 300 mm de diamètre. C’est sur ce site que la nouvelle usine dédiée à la production de mémoires va voir le jour. Elle représente un investissement colossal de 24 milliards de dollars jusqu’en 2019. A terme, elle disposera d’une capacité mensuelle de production de 300 000 tranches.

 

Puces Flash 3D à 32 couches

La fabrication de mémoires flash 3D débutera en 2017 avec des circuits à 32 couches d’information selon une technologie développée conjointement par XMC et l’américain Spansion qui a fusionné en mars 2015 avec son compatriote Cypress Semiconductor. Le coréen Samsung, le japonais Toshiba et l’américain Micron Technology empilent aujourd’hui 48 couches dans leurs puces Flash 3D, et prévoient de passer à 64 couches en 2017.

La Chine dispose aujourd’hui de deux usines de puces mémoires sur son territoire mais elles appartiennent aux coréens SK Hynix (mémoires Dram) et Samsung (mémoires flash 3D). Et une troisième va être mise en service d’ici à fin 2016 par l’américain Intel en conversion de son site de fabrication de microprocesseurs à la production de mémoires flash 3D.

 

La Chine absorbe le tiers de la production mondiale

Selon le cabinet TrendForce, la Chine a englouti 6,7 milliards de dollars de mémoires flash de type NAND en 2015, soit plus de 29% de la production mondiale. Et la part devrait atteindre le tiers en 2016. La production locale, assurée aujourd’hui par Samsung, ne satisfait qu’une infime partie de cette consommation. C’est cette dépendance que l’Empire du Milieu veut réduire en lançant sa propre production.

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