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Qualcomm fait appel à Samsung pour graver son Snapdragon 835 en 10 nm

Qualcomm en rélève un peu plus sur sa nouvelle puce mobile. Baptisée Snapdragon 835, elle sera gravée à une finesse de 10 nanomètres par Samsung Foundries. Son lancement officiel aura lieu au CES, et elle sera commercialisée au premier semestre 2017. Elle sera équipée de la fonctionnalité de recharge rapide Quick Charge 4, qui dispose d'une nouvelle fonctionnalité anti-surchauffe... pour éviter des cas d'explosion similaire à ceux du Galaxy Note 7 ?
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Qualcomm fait appel à Samsung pour graver son Snapdragon 835 en 10 nm
Keith Kressin de Qualcomm et Ben Suh de Samsung Foundries tenant chacun une puce Snapdragon 835 gravée en 10 nm. © Qualcomm

Samsung Foundries, la filiale du groupe coréen spécialisée dans la fabrication de puces électroniques, avait marqué l'histoire le mois dernier en annonçant qu'elle lançait avant Intel la production de puces gravées à une finesse de 10 nm. Son client n'avait cependant pas été révélé, ni l'efficacité de ses lignes de production à cette finesse de gravure. C'est désormais chose faite. Qualcomm a fait l'annonce lors d'un évènement à New York City le 16 novembre qu'il est le premier client de Samsung, et que c'est son System-on-a-Chip (SoC) mobile Snapdragon 835 qui en bénéficiera.

 

Pour des raisons obscures de développement interne, Qualcomm a décidé cette année de sauter la version "830" de sa puce pour passer directement à 835. Cette gravure plus fine conférera à la puce une meilleure efficacité énergétique (jusqu'à 40% de consommation réduite) et de meilleures performances tout en réduisant sensiblement sa taille. Les spécifications exactes du Snapdragon 835 seront dévoilées lors du salon CES 2017 de Las Vegas, en janvier. La puce verra son lancement commercial au sein de smartphones au cours du premier semestre 2017.

 

Quick Charge 4, plus rapide et plus sûr... pour éviter un nouveau "Galaxy Note 7"

L'un des points sur lesquels Qualcomm était décidé à communiquer dans l'immédiat est la fonctionnalité Quick Charge 4, qui sera introduite avec le Snapdragon 835 (elle sera rétrocompatible avec certains smartphones équipés d'anciens SoC au cas par cas). Après l'incident du Galaxy Note 7, dont plus d'une centaine d'unités ont explosé des suites d'une cause encore inconnue, Qualcomm a mis en avant son expérience dans le domaine de la recharge rapide de batterie, rappelé que le Galaxy Note 7 n'utilisait pas ses technologies, et détaillé les nouvelles sécurités mises en place, dont une protection contre une trop haute température (en plus du survoltage et de la surcharge).

 

Le slogan du Quick Charge 4 est "5 in 5", comprendre qu'une recharge électrique de 5 minutes permettra 5 heures d'utilisation d'un smartphone dans des conditions idéales (batterie de 2750 mAh à 0% allant jusqu'à 50%). Des capacités supérieures de 20% en vitesse à celles du Quick Charge 3, tout en gardant la batterie 5°C plus fraiche. Quick Charge 4 sera par ailleurs compatible avec les câbles USB Type C et USB-PD. Le dernier point mis en avant par Qualcomm est sa volonté de standardiser les technologies de recharge électrique (pour tous types d'accessoires) avec le Quick Charge 4 afin d'éviter les confusions pour le consommateur.

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