Samsung lance la production de puces en 10 nanomètres… avant Intel et TSMC
Le géant coréen de l’électronique Samsung débute la production de masse de circuits intégrés en gravure de 10 nanomètres. Il devance ainsi pour la première fois ses deux plus grands concurrents : le taïwanais TSMC et l’américain Intel.
Dans la course à la miniaturisation électronique, Samsung prend l'avantage. Le géant coréen de l’électronique lance la production de masse de puces en technologie FinFET 10 nm, c’est-à-dire avec des transistors 3D et une gravure de 10 nanomètres. Il devance ainsi pour la première fois ses deux plus grands rivaux technologiques : le taiwanais TSMC et l’américain Intel, qui prévoient le passage à ce procédé de fabrication au quatrième trimestre 2016, pour le premier, et au deuxième semestre 2017 pour le second.
Gain de densité de 30%
Aujourd’hui, les circuits intégrés électroniques les plus avancés sont réalisés avec des transistors 3D en gravure de 14 nanomètres chez Intel et Samsung et de 16 nanomètres chez TSMC. Selon le groupe coréen, le passage à 10 nanomètres augmente la densité (nombre de transistors par unité de surface) de 30%, améliore les performances de 27% ou réduit la consommation d’énergie de 40% par rapport au procédé de fabrication en 14 nanomètres.
Intel battu pour la première fois
Une page se tourne dans la microélectronique. Jusqu’ici, Intel, numéro un mondial des semiconducteurs, était la référence en matière de production de puces électroniques. Pour la première fois, il se fait devancer par la concurrence. D’ici à la fin de l’année, il sera non seulement derrière Samsung, qui va produire la prochaine puce SnapDragon 830 de Qualcomm en 10 nanaomètres, mais aussi TSMC, qui va fabriquer les futurs processeurs d’Apple ou de Nvidia.
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