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STMicroelectronics réaffirme son engagement envers la technologie FD-SOI

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Vu ailleurs Malgré sa sortie programmée des décodeurs et box internet, STMicroelectronics n’entend pas abandonner la technologie FD-SOI. Au contraire, le fabricant franco-italien de semiconducteurs prévoit de l’utiliser pour d’autres circuits à destination de l’automobile, du spatial, de la défense ou de l'Internet des objets.

STMicroelectronics réaffirme son engagement envers la technologie FD-SOI
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STMicroelectronics a décidé de sortir des décodeurs et box internet en arrêtant tout développement de nouveaux circuits standards pour ce marché. Une perspective qui prive la technologie de silicium sur isolant FD-SOI (Fully depleted silicon on insulator pour silicium sur isolant complètement 'déplété') d’une application importante. Le groupe franco-italien de semiconducteurs n’entend pas pour autant abandonner cette filière. Au contraire, il prévoit d’en faire axe stratégique de différenciation en l’étendant à d’autres familles de circuits pour l’automobile, le spatial, la défense ou l'Internet des objets. C’est-ce que promet Jean-Marc Chery, directeur général et patron de la technologie et de la production dans l’article publié par le journal EETimes.
 
Deux technologies dans la course à la loi de Moore
Avec la miniaturisation, les courants de fuite dans les transistors tendent à augmenter, bridant les performances de traitement et consommation de courant des puces électroniques. Pour contrer ce problème et poursuivre la loi de Moore, deux approches s’affrontent. La première consiste à changer la conception du transistor en passant à une structure 3D. C’est la technologie FinFET développée aux Etats-Unis et adoptée par la plupart des concepteurs de processeurs (Intel, Apple, Samsung, Qualcomm…). L’autre réside dans le changement de substrat en passant au silicium sur isolant, au lieu et place du silicium massif. La technologie FD-SOI n’est que la dernière génération de ce substrat sandwich, développée conjointement par STMicroelectronics, Soitec, ST-Ericsson et le CEA-Leti pour les gravures de 28, 20 et 14 nanomètres.
 
Après l’arrêt des circuits pour mobiles et le démantèlement de ST-Ericsson à l’été 2013, le groupe, dirigé par Carlo Bozotti, a déjà perdu un débouché important pour cette technologie dans la quelle il a beaucoup investi en recherche et développement. La dernière génération de ses circuits pour décodeurs et passerelles télécoms, construite sur du silicium sur isolant en 28 nanomètres, constituait jusqu’ici le dernier grand bastion pour cette technologie.
 
600 personnes et autant d'ambassadeurs de la technologie FD-SOI
Jean-Marc Chery voit dans l’arrêt de cette activité une opportunité pour proliférer la filière FD-SOI dans l’ensemble des activités du groupe. Environ 600 ingénieurs, issus des décodeurs et box internet, vont être redéployés dans d’autres activités de circuits numériques comme les microcontrôleurs, les processeurs d’image pour l’automobile ou les solutions pour l’Internet des objets. Ils vont jouer le rôle d’ambassadeur de la technologie FD-SOI dans leurs nouvelles activités.
 
"Ce qui est important dans la technologie FD-SOI c’est son facteur de mérite en termes de consommation de courant et d’aptitude aux communications radiofréquences, explique Jean-Marc Chéry. Ces deux atouts combinés en font une solution parfaite pour les applications de l’internet des objets. Son immunité aux radiations en fait aussi un choix naturel pour le spatial ou la défense."
 
Une filière stratégique pour l'indépendance technologique de l'Europe
Les microcontrôleurs se présentent comme l’un des nouveaux domaines prometteurs d’application. Les composants les plus évolués aujourd’hui font appel au silicium massif en 40 nanomètres. Mais la prochaine génération en 28 nanomètres basculera sur la technologie FD-SOI, comme NXP envisage de le faire. Son développement a déjà commencé. D’autres produits sont candidats aussi comme les circuits pour systèmes d’assistance à la conduite de voiture, les imageurs spécifiques ou les circuits radiofréquences.
 
Les pouvoirs publics et la Commission européenne ont beaucoup investi, à travers les programme R&D et pilotes industriels, dans le développement de la technologie FD-SOI, présentée comme une alternative française et européenne à la technologie FinFET d’origine américaine et comme une filière stratégique pour l'indépendance technologique du Vieux continent.

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