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Canon va permettre la poursuite de la Loi de Moore grâce à la lithographie à nano-impression

En partenariat avec Toshiba, le groupe japonais de l’électronique Canon met la dernière main au développement de la lithographie à nano-impression. Objectif ? La commercialisation de cette technologie de gravure nanométrique en 2015 pour la prochaine génération de mémoires flash.
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Canon va permettre la poursuite de la Loi de Moore grâce à la lithographie à nano-impression
Canon va permettre la poursuite de la Loi de Moore grâce à la lithographie à nano-impression © Canon

C’est l’effervescence autour de la lithographie à nano-impression. Canon, qui travaille depuis 2004 sur le développement de cette technologie de gravure de puces électroniques, semble tout prêt du stade de mise sur le marché. Le géant japonais de l’électronique estime avoir suffisamment progressé dans le contrôle des défauts et la précision d’alignement pour commercialiser le premier équipement cette année.

La lithographie constitue la technologie clé de production des circuits intégrés électroniques. De ses progrès dépend la miniaturisation, et donc la poursuite de la Loi de Moore selon laquelle la densité des puces électroniques double tous les deux ans. Aujourd’hui, la gravure s’appuie sur la lithographie optique. Les motifs sont créés en exposant aux rayons ultraviolets une résine photosensible puis en enlevant les parties non exposées par des bains chimiques. Avec la lithographie à nano-impression, ils sont créés en pressant un moule avec l’empreinte du circuit sur la résine photosensible. À la clé, des avantages de simplicité, rapidité et régularité des motifs.

Parfaitement adaptée aux mémoires flash

Connu pour ses appareils photo et ses matériels bureautiques, Canon fait partie de l’un des trois fournisseurs d’équipements de lithographie au monde, aux côtés de son compatriote Nikon et du néerlandais ASML. Dans la lithographie à nano-impression, il travaille avec Toshiba, numéro un japonais des semi-conducteurs et numéro deux mondial des mémoires flash (après Samsung). D’ailleurs, le premier équipement est dédié à la production de mémoires flash en gravure de 15 nm. Une famille de circuits dont la simplicité d’architecture (réseau régulier de cellules à transistors) rend cette technologie particulièrement adaptée. Mais Canon envisage une extension aux mémoires vives Dram et même aux circuits logiques comme les processeurs.

Au-delà de cette collaboration avec Canon, Toshiba a également noué en ce début d’année un partenariat R&D avec son concurrent coréen SK Hynix pour la préparation de la production de mémoires flash utilisant la lithographie à nano-impression.

Ridha Loukil

 
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