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Le coup de pouce de 400 millions d'euros de l’Etat à STMicroelectronics

L’Etat français va accorder une subvention de 400 millions d’euros à STMicroelectronics dans le cadre du programme de R&D en nanoélectronique Nano 2017. Un coup de pouce qui apporte une bouffée d’oxygène au fabricant franco-italien de semi-conducteurs, en difficultés depuis deux ans.
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Le coup de pouce de 400 millions d'euros de l’Etat à STMicroelectronics
Le coup de pouce de 400 millions d'euros de l’Etat à STMicroelectronics © D.R.

C’est officiel. L’Etat va pouvoir accorder une subvention de 400 millions d’euros à STMicroelectronics d’ici 2017. La Commission européenne, notifiée à la fin de l'année 2013 de ce projet, a donné son feu vert. Cette aide s’inscrit dans le cadre du programme de R&D sur la nanoélectronique Nano 2017, dont le fabricant franco-italien de semi-conducteurs est pilote avec 173 partenaires de 19 pays.

Nano 2017 succède au programme Nano 2012, avec un budget total de 3,5 milliards d’euros sur cinq ans (2013-2017). La partie française se déroule sur le cluster grenoblois de nanoélectronique avec comme chef de file STMicroelectronics et la participation notamment de Soitec, d’IBM et du CEA-Leti. L’Etat a prévu d’allouer 600 millions d’euros de subvention au total pour les participants français, abondée par une contribution d’environ 100 millions d’euros des collectivités locales.

D’importantes pertes en 2012 et 2013

Pour Carlo Bozotti, PDG de STMicroelectronics, qui attendait avec impatience le feu vert de la Commission européenne, ce coup pouce apporte une bouffée d’oxygène. Le groupe franco-italien vient de  traverser une période difficile avec une perte de 1,6 milliard d’euros en 2012 et de 456 millions d’euros en 2013. Des difficultés dues à sa mésaventure dans les circuits pour mobile à travers ST-Ericsson, sa coentreprise avec Ericsson démantelée il y a un an.

Un autre industriel français, aussi en difficulté, devrait bénéficier de l’aide de l’Etat : Soitec, le fabricant de plaques de silicium sur isolant (connu sous le sigle FD-SOI pour Fully Depleted Silicon On Insulator). Cette technologie française constitue une alternative à la technologie FinFET à base de transistor 3D développée aux Etats-Unis pour poursuivre la miniaturisation comme le veut la loi de Moore. Elle est au cœur du programme Nano 2017. Elle est aujourd’hui disponible chez STMicroelectronics pour les circuits avancés en gravure de 28 nm. L’objectif est de préparer les deux prochaines générations de puces électroniques en gravure de 14 nm et 10 nm.

Ridha Loukil

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