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Première mondiale : Samsung produit des mémoires vives Dram en 18 nanomètres

Le géant coréen de l’électronique Samsung parvient à miniaturiser encore la mémoire vive Dram. Il lance la production en volume des premiers produits au monde en gravure de 18 nanomètres. De quoi conforter son avance sur ses deux plus grands concurrents : SK Hynix et Micron Technology.

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Première mondiale : Samsung produit des mémoires vives Dram en 18 nanomètres
Mémoire Dram DDR4 de 8 Gbit de Samsung en gravure de 18 nm. © Samsung

Samsung réussit à miniaturiser encore la mémoire vive Dram. Le géant coréen de l’électronique lance la production de volume d’une puce de quatrième génération de stockage de données (DDR4) de 8 gigabit en 18 nanomètres. Il reste vague sur la finesse de gravure utilisée en se contentant d’indiquer une fourchette de 10 à 19 nanomètres. Mais il s’agit bel et bien d’une gravure de 18 nanomètres. Une première mondiale.

 

Le défi de la miniaturisation

Les mémoires Dram les plus avancées disponibles jusqu’ici étaient gravées en 20 nanomètres. Leur miniaturisation pose de sacrés défis. Car contrairement à d’autres circuits intégrés électroniques constitués exclusivement de transistors, comme les processeurs ou les mémoires Flash, elles se caractérisent par une microarchitecture hybride complexe. Chaque cellule mémoire combine un transistor et un condensateur où est stockée l’information binaire sous forme de charge électrique. C’est ce condensateur qui est l’élément le plus difficile à miniaturiser. Ceci explique le retard des mémoires Dram sur les processeurs dont la gravure descend aujourd’hui jusqu’à 14 nanomètres.

 

Baisse de la consommation de courant

En passant à 18 nanomètres, Samsung ne fait que gagner 2 nanomètres par rapport à la génération précédente. Un maigre résultat qui témoigne des difficultés à miniaturiser cette famille de puces électroniques essentielle aux PC, serveurs et mobiles. Mais pour le groupe de Séoul, c’est suffisant pour franchir une nouvelle étape dans l’amélioration des performances et la réduction de l’encombrement et de la consommation.

 

Par rapport à la génération précédente, Samsung promet un gain de 30% de la vitesse de transfert des données et une baisse de la consommation de courant de 10 à 20% au niveau des modules de mémoires. La nouvelle puce s’adresse aux PC, serveurs et autres équipements de datacenters. Mais le groupe coréen prévoit d’introduire bientôt une version pour les mobiles.

 

SK Hynix et Micron Technology à la traine

Au quatrième trimestre 2015, Samsung caracole en tête du marché des mémoires Dram avec 46,4% du marché mondial selon TrendForce, devant son compatriote SK Hynix (27,9%) et l’américain Micron Technology (18,9%). Son passage à une gravure de 18 nanomètres est de nature à conforter son avance sur ses deux plus grands concurrents qui n’en sont encore qu'en phase de transition vers la gravure de 20 nanomètres.

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