Samsung conforte son avance dans les mémoires vives. Le géant coréen de l’électronique lance, en Corée du Sud, la production de masse de la première puce Dram à double débit de données de quatrième génération (DDR 4 pour Double data rate 4 th generation) de 12 gigabits. C’est deux fois la capacité des produits les plus denses disponibles aujourd’hui sur le marché.
Gravure de 20 nanomètres
Cette puce est fabriquée en 20 nanomètres, la gravure la plus fine pour cette famille de circuits intégrés. A en croire Samsung, elle est 30% plus rapide et 20% plus économe en énergie que la génération de 6 gigabits disponible jusqu’ici dans son catalogue avec la même finesse de gravure. En combinant deux ou quatre puces dans même boîtier, il devient possible d’obtenir un composant d’une capacité de 3 ou 6 gigaoctets dans le même encombrement que celui du produit actuel de 3 gigaoctets.
Les applications visées se situent exclusivement dans les mobiles. Samsung anticipe les besoins de la prochaine génération de smartphones et tablettes de haut de gamme. Les derniers téléphones intelligents phares de Samsung, Sony ou Huawei arborent une capacité de 3 ou 4 gigaoctets. Le passage à une capacité plus grande rendrait les applications plus fluides, faciliterait les opérations multitâches et permettrait de tirer parti des fonctions étendues des systèmes d’exploitation.
En Avance sur SK Hynix et Micron Technology
Avec ce développement, Samsung creuse l’écart avec ses deux plus gros concurrents, son compatriote SK Hynix et l’américain Micron Technology, dont les puces Dram DDR 4 se limitent aujourd’hui à une densité de 4 gigabits. Le géant coréen domine largement le segment dédié aux mobiles avec 57,6% du marché au deuxième trimestre 2015, selon TrendForce, loin devant SK Hynix (23,9%) et Micron Technology (16,5%).
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