Micron Technology : Actus sur la société américaine d'informatique : Toutes les actus et news en 2016

Les 3 Chinois qui s’apprêtent à bousculer l’industrie des mémoires à semi-conducteurs

21 nov. 2016

Les 3 Chinois qui s’apprêtent à bousculer l’industrie des mémoires à semi-conducteurs

Selon Digitimes, trois acteurs chinois se préparent à faire leur entrée sur le marché des mémoires Dram et Flash. De quoi bousculer Samsung, SK Hynix, Toshiba et Micron Technology, les quatre grands fabricants qui se partagent aujourd’hui le gâteau.

10 nov. 2016

Le taïwanais Nanya investit 1 milliard de dollars dans le fleuron américain des mémoires Micron

Le premier fabricant taïwanais de mémoires Nanya Technology a convenu de prendre 5% du capital de son correspondant américain Micron Technology. Un investissement de près de 1 milliard de dollars destiné à lui ouvrir accès aux technologies avancées de production de puces Dram.

Samsung double la capacité de la mémoire Dram mobile à 8 Go

21 oct. 2016

Samsung double la capacité de la mémoire Dram mobile à 8 Go

Le géant coréen de l’électronique Samsung introduit la première mémoire Dram de 8 Go du marché dédiée aux mobiles. Par rapport aux produits existants, ce composant double la capacité pour la même consommation de courant.

Samsung va booster de 33% la densité de ses mémoires flash 3D

10 oct. 2016

Samsung va booster de 33% la densité de ses mémoires flash 3D

Le géant coréen de l’électronique Samsung se prépare à lancer la production de mémoires flash 3D à 64 couches de stockage de données, au lieu de 48 jusqu’ici. De quoi maintenir son avance sur son principal concurrent, le japonais Toshiba.

Micron confronté à des difficultés financières critiques

21 juil. 2016

Micron confronté à des difficultés financières critiques

Pénalisé par la chute des prix des puces Dram et le déclin des PC, le fabricant américain de mémoires Micron Technology n’est pas près de sortir du marasme. La persistance de ses difficultés risque de le mettre dans une situation financière critique, selon Digitimes.

Toshiba et Western Digital ouvrent leur usine commune de mémoires flash 3D

19 juil. 2016

Toshiba et Western Digital ouvrent leur usine commune de mémoires flash 3D

Le japonais Toshiba et l’américain Western Digital inaugurent au Japon leur première usine de mémoires flash 3D. De quoi concurrencer Samsung qui domine aujourd’hui le marché.

La Chine construit une usine de mémoires Dram à 5,3 milliards de dollars

12 juil. 2016

La Chine construit une usine de mémoires Dram à 5,3 milliards de dollars

Le chinois Fujian Jin Hua Integrated Circuit se prépare à construire une usine de mémoires Dram à 5,3 milliards de dollars. La technologie est développée par le fondeur taïwanais UMC.

Semiconducteurs : Micron contraint à un plan d’économie de 320 millions de dollars par an

04 juil. 2016

Semiconducteurs : Micron contraint à un plan d’économie de 320 millions de dollars par an

Le fabricant américain de puces mémoires Micron Technology creuse ses pertes à 215 millions de dollars au deuxième trimestre 2016. Une détérioration qui le conduit à lancer un plan d’économie de 80 millions de dollars par trimestre et à réduire ses effectifs.

Première mondiale : Samsung produit des mémoires vives Dram en 18 nanomètres

06 avril 2016

Première mondiale : Samsung produit des mémoires vives Dram en 18 nanomètres

Le géant coréen de l’électronique Samsung parvient à miniaturiser encore la mémoire vive Dram. Il lance la production en volume des premiers produits au monde en gravure de 18 nanomètres. De quoi conforter son avance sur ses deux plus grands concurrents : SK Hynix et Micron...

La Chine construit sa première usine de mémoires flash 3D

25 mars 2016

La Chine construit sa première usine de mémoires flash 3D

Le fondeur chinois XMC s’apprête à lancer la construction d’une usine de mémoires flash 3D, la première du genre détenue par un acteur local. Et une étape importante dans la stratégie d’indépendance de la Chine dans les semiconducteurs.

Toshiba construit une usine de mémoires flash de 3,2 milliards de dollars

17 mars 2016

Toshiba construit une usine de mémoires flash de 3,2 milliards de dollars

Après Samsung, Intel, Micron et SK Hynix, c’est au tour de Toshiba de lancer la construction d’une nouvelle usine de mémoires flash en partenariat avec SanDisk. En proie à de grandes difficultés financières, le géant japonais ne veut pas se laisser distancer par ses concurrents.

Mémoires flash : SK Hynix défie Samsung avec une méga usine de 12,5 milliards de dollars

03 mars 2016

Mémoires flash : SK Hynix défie Samsung avec une méga usine de 12,5 milliards de dollars

Le fabricant coréen de semiconducteurs SK Hynix prévoit d’investir 12,5 milliards de dollars dans la construction d’une usine de mémoire flash. De quoi rivaliser avec son compatriote et rival Samsung, leader de ce marché.

Micron investit 5 milliards de dollars dans les mémoires pour résister à Samsung

15 févr. 2016

Micron investit 5 milliards de dollars dans les mémoires pour résister à Samsung

Le fabricant américain de mémoires Micron Technology augmente ses investissements de 22% à 5 milliards de dollars sur son exercice fiscal 2016. Au programme : les mémoires Dram en gravure de 20 nanomètres, les mémoires flash 3D et sa nouvelle mémoire non volatile 3D XPoint.

18 janv. 2016

Comment Intel veut se libérer des PC

Oubliés les PC qui ont fait la fortune d’Intel. La priorité du numéro un mondial des semi-conducteurs va désormais aux datacenters, à l’Internet des objets et aux mémoires non volatiles. Trois moteurs de croissance de ses revenus, comme le démontrent les résultats en 2015. Mais quid des...

Micron Technology - 2016