Pour revenir dans la course face à SK Hynix, Samsung présente une nouvelle mémoire BV-NAND ultra dense destinée aux futures infrastructures IA
À l’occasion de la conférence Future of Memory and Storage (FMS), Samsung Electronics a dévoilé une nouvelle génération de mémoires destinées aux infrastructures d’IA, avec des innovations promettant davantage de capacité, une bande passante accrue et une consommation énergétique fortement réduite.



























