En Sicile, STMicroelectronics va ouvrir une usine de carbure de silicium financée par l'Etat italien

STMicroelectronics va construire en Italie la première usine de carbure de silicium (SiC) de 200 mm à grand volume pour les dispositifs et modules de puissance, ainsi que pour les tests et le conditionnement. L'usine sera basée à Catane, en Sicile et doit bénéficier d'un programme d'investissement pluriannuel de 5 milliards d'euros, dont 2 milliards d'euros de soutien fourni par l'État italien dans le cadre du Chips Act européen.

Cette aide financière s'avérera précieuse pour le développement de ST sur son site italien. En effet, les dispositifs d'alimentation SiC, sous la forme de MOSFET SiC vendus sous forme de modules nus et de modules SiC complets, sont particulièrement utiles dans les véhicules électriques, les infrastructures de recharge rapide, les énergies renouvelables et diverses applications industrielles, y compris les centres de données, car ils offrent des courants électriques plus élevés et des fuites plus faibles que les semi-conducteurs traditionnels en silicium. Cependant, leur fabrication est plus difficile et plus coûteuse que les puces traditionnelles.

Le site de Catane en pleine expansion

Le même site connaît d'importants travaux puisqu'une usine de fabrication de substrats SiC est en cours de préparation sur le même site. A terme, ces installations formeront le Campus Carbure de Silicium de STMicroelectronics. Avec ce projet, le poids lourd européen des semi-conducteurs compte s'adresser à plusieurs secteurs, notamment l'industrie et l'automobile.

L'enjeu est double, comme l'affirme Jean-Marc Chery, PDG de STMicroelectronics : "L'ampleur et les synergies offertes par ce projet nous permettront de mieux innover avec une capacité de fabrication à haut volume, au bénéfice de nos clients européens et mondiaux alors qu'ils transitionnent vers l'électrification et recherchent des solutions plus économes en énergie pour atteindre leurs objectifs de décarbonation".

Le cœur névralgique de l'écosystème SiC de ST

La firme affirme que ce campus "servira de centre de l'écosystème SiC mondial de ST, intégrant toutes les étapes du flux de production". Cela inclut le développement de substrats SiC, les processus de croissance épitaxiale, la fabrication de tranches frontales de 200 mm et l'assemblage arrière de modules, ainsi que la R&D sur les processus, la conception de produits, les laboratoires de R&D avancés pour les matrices, les systèmes et modules d'alimentation, et les capacités d'emballage complètes.

Il s'agira d'une première en Europe pour la production en série de tranches SiC de 200 mm, chaque étape du processus (substrat, épitaxie, front-end et back-end) utilisant des technologies de 200 mm pour des rendements et des performances améliorés, précise le fondeur. Concernant le calendrier, ST espère démarrer sa production en 2026 et atteindre sa pleine capacité d'ici 2033, avec jusqu'à 15 000 plaquettes par semaine au maximum.

Le besoin de réduire la dépendance aux importations asiatiques

A date, ST fabrique des produits SiC en grand volume sur deux lignes de plaquettes de 150 mm à Catane (Italie) et à Ang Mo Kio (Singapour). Un troisième hub consiste en une coentreprise avec Sanan Optoelectronics, avec une fabrication en 200 mm actuellement en construction à Chongqing (Chine) pour servir le marché chinois.

Les opérations d'assemblage et de test en grand volume qualifiées pour l'automobile se trouvent à Bouskoura (Maroc) et à Shenzhen (Chine) tandis que la R&D et l'industrialisation des substrats SiC sont entreprises à Norrköping (Suède) et à Catane, censée devenir l'épine dorsale de la production à l'avenir.

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